IRF7738L2TRPBF
工場モデル | IRF7738L2TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET |
パッケージ | DIRECTFET L6 |
株式 | 5514 pcs |
データシート | IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IRF7738L2TR(1)PBF |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET L6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 109A, 10V |
電力消費(最大) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric L6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7471 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 194 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Ta), 184A (Tc) |
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