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Infineon Technologies

IRF7737L2TRPBF

工場モデル IRF7737L2TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
パッケージ DIRECTFET L6
株式 6719 pcs
データシート IRF7737L2TR(1)PbFIR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6719のInfineon Technologies IRF7737L2TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 150µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET L6
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.9mOhm @ 94A, 10V
電力消費（最大） 3.3W (Ta), 83W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric L6
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5469 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 134 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 31A (Ta), 156A (Tc)

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