IRF4905LPBF
工場モデル | IRF4905LPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 55V 42A TO262 |
パッケージ | TO-262 |
株式 | 81196 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Tube Pkg MOQ Standardization 28/Jul/2017IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.157 | $1.039 | $0.851 | $0.724 | $0.611 | $0.58 | $0.559 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 42A, 10V |
電力消費(最大) | 170W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3500 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 180 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 42A (Tc) |
基本製品番号 | IRF4905 |
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