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IRF3703PBF

工場モデル IRF3703PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 55731 pcs
データシート Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Lead Finish 28/May/2021Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$1.662 $1.491 $1.222 $1.04 $0.877 $0.834
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。55731のInfineon Technologies IRF3703PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.8mOhm @ 76A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 230W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8250 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 209 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 210A (Tc)
基本製品番号 IRF3703

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データシート

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