IRF3610STRLPBF
工場モデル | IRF3610STRLPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
パッケージ | PG-TO263-3 |
株式 | 35313 pcs |
データシート | IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Material Chg 24/Nov/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015Mult Dev Wafer Chgs 31/Aug/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$1.653 | $1.484 | $1.216 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11.6mOhm @ 62A, 10V |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5380 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 150 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 103A (Tc) |
基本製品番号 | IRF3610 |
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