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Infineon Technologies

IRF3205ZLPBF

工場モデル IRF3205ZLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 75A TO262
パッケージ TO-262
株式 124280 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.675 $0.608 $0.488 $0.401 $0.332 $0.309 $0.298 $0.29
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。124280のInfineon Technologies IRF3205ZLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6.5mOhm @ 66A, 10V
電力消費（最大） 170W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3450 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)
基本製品番号 IRF3205

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データシート

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