Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF2907ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF2907ZSTRLPBF

工場モデル IRF2907ZSTRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 36493 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Warehouse Transfer 29/Jul/2015IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Material Chg 24/Nov/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$1.54 $1.384 $1.134
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。36493のInfineon Technologies IRF2907ZSTRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.5mOhm @ 75A, 10V
電力消費（最大） 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7500 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 270 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 75 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 160A (Tc)
基本製品番号 IRF2907

おすすめ商品

IRF2907ZSTRLPBF データテーブルPDF

データシート

IRF2907ZSTRLPBFに関連した語彙

IRF2907ZSTRLPBF関連コンポーネント