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IRF200P222

工場モデル IRF200P222
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
パッケージ TO-247AC
株式 15738 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$4.194 $3.79 $3.138 $2.732 $2.38
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。15738のInfineon Technologies IRF200P222の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 270µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
シリーズ StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6.6mOhm @ 82A, 10V
電力消費（最大） 556W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9820 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 203 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 182A (Tc)
基本製品番号 IRF200

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