IRF200B211
| 工場モデル | IRF200B211 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 270171 pcs |
| データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Tube Label Chgs 20/May/2020Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.405 | $0.361 | $0.281 | $0.232 | $0.184 | $0.171 | $0.163 | $0.157 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 170mOhm @ 7.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF200 |
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