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Infineon Technologies

IRD3CH31DB6

工場モデル IRD3CH31DB6
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
パッケージ Wafer
株式 5456 pcs
データシート IRD3CH31DB6Part Number GuideMult Device EOL 4/Apr/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5456のInfineon Technologies IRD3CH31DB6の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 2.7 V @ 50 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ Wafer
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 240 ns
パッケージ/ケース Die
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 20 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 50A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 IRD3CH31

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