IRD3CH11DB6
| 工場モデル | IRD3CH11DB6 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE |
| パッケージ | Die |
| 株式 | 5713 pcs |
| データシート | IRD3CH11DB6Part Number GuideMult Device EOL 4/Apr/2016 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 2.7 V @ 25 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 190 ns |
| パッケージ/ケース | Die |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 700 nA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 25A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | IRD3CH11 |
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