Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPTG111N20NM3FDATMA1
Infineon Technologies

IPTG111N20NM3FDATMA1

工場モデル IPTG111N20NM3FDATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 TRENCH >=100V PG-HSOG-8
パッケージ PG-HSOG-8-1
株式 20313 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$2.915 $2.632 $2.179 $1.897
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。20313のInfineon Technologies IPTG111N20NM3FDATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 267µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOG-8-1
シリーズ OptiMOS™ 3
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 11.1mOhm @ 96A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 375W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSMD, Gull Wing
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7000 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 81 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10.8A (Ta), 108A (Tc)
基本製品番号 IPTG111N

おすすめ商品

IPTG111N20NM3FDATMA1 データテーブルPDF

IPTG111N20NM3FDATMA1に関連した語彙

IPTG111N20NM3FDATMA1関連コンポーネント