Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPTG011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies

IPTG011N08NM5ATMA1

工場モデル IPTG011N08NM5ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
パッケージ PG-HSOG-8-1
株式 16997 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$3.246 $2.932 $2.427 $2.114
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。16997のInfineon Technologies IPTG011N08NM5ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.8V @ 280µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOG-8-1
シリーズ OptiMOS™ 5
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.1mOhm @ 150A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 375W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSMD, Gull Wing
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 17000 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 223 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 42A (Ta), 408A (Tc)
基本製品番号 IPTG011N

おすすめ商品

IPTG011N08NM5ATMA1 データテーブルPDF

IPTG011N08NM5ATMA1に関連した語彙

IPTG011N08NM5ATMA1関連コンポーネント