IPP80N03S4L03AKSA1
工場モデル | IPP80N03S4L03AKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 |
パッケージ | PG-TO220-3-1 |
株式 | 65635 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$1.407 | $1.264 | $1.036 | $0.882 | $0.744 | $0.706 | $0.68 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 90µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 136W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9750 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
基本製品番号 | IPP80N03 |
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