IPP65R660CFDAAKSA1
工場モデル | IPP65R660CFDAAKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 |
パッケージ | PG-TO220-3 |
株式 | 5350 pcs |
データシート | Part Number GuideIPx65R660CFDAIPP65R660CFDA OBS 31/Aug/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 200µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 660mOhm @ 3.2A, 10V |
電力消費(最大) | 62.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 543 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
基本製品番号 | IPP65R |
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