IPL65R1K5C6SATMA1
工場モデル | IPL65R1K5C6SATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK |
パッケージ | PG-TSON-8-2 |
株式 | 187059 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
5000 | 10000 |
---|---|
$0.238 | $0.229 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSON-8-2 |
シリーズ | CoolMOS™ C6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 26.6W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 225 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Tc) |
基本製品番号 | IPL65R1 |
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