IPL60R650P6SATMA1
工場モデル | IPL60R650P6SATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK |
パッケージ | 8-ThinPak (5x6) |
株式 | 154238 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.656 | $0.59 | $0.474 | $0.39 | $0.323 | $0.301 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 200µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-ThinPak (5x6) |
シリーズ | CoolMOS™ P6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
電力消費(最大) | 56.8W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 557 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.7A (Tc) |
基本製品番号 | IPL60R650 |
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