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Infineon Technologies

IPI80P04P4L08AKSA1

工場モデル IPI80P04P4L08AKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3-1
株式 5553 pcs
データシート Part Number GuideMult Device EOL 31/Aug/2017Wafer Test Add 27/Apr/2017IPx80P04P4L-08*
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5553のInfineon Technologies IPI80P04P4L08AKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 120µA
Vgs（最大） +5V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3-1
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.2mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 75W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5430 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 92 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 IPI80P

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データシート

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