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Infineon Technologies

IPI80N06S4L07AKSA1

工場モデル IPI80N06S4L07AKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
パッケージ PG-TO262-3
株式 5286 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5286のInfineon Technologies IPI80N06S4L07AKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 40µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6.7mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 79W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5680 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 75 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 IPI80N

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データシート

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