IPI70P04P409AKSA1
工場モデル | IPI70P04P409AKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 72A TO262-3 |
パッケージ | PG-TO262-3-1 |
株式 | 4421 pcs |
データシート | IPx70P04P4-09Part Number GuideMult Device EOL 31/Aug/2017Wafer Test Add 27/Apr/2017 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 120µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.4mOhm @ 70A, 10V |
電力消費(最大) | 75W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4810 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 70 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 72A (Tc) |
基本製品番号 | IPI70P |
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