IPI65R150CFDXKSA1
工場モデル | IPI65R150CFDXKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3 |
パッケージ | PG-TO262-3-1 |
株式 | 6781 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev EOL 14/Jun/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 900µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
電力消費(最大) | 195.3W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2340 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 86 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22.4A (Tc) |
基本製品番号 | IPI65R |
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