IPDQ60R017S7AXTMA1
工場モデル | IPDQ60R017S7AXTMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET |
パッケージ | PG-HDSOP-22-1 |
株式 | 6296 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$8.37 | $7.691 | $6.495 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 1.89mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HDSOP-22-1 |
シリーズ | CoolMOS™ S7 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 29A, 12V |
電力消費(最大) | 500W (Tc) |
パッケージ/ケース | 22-PowerBSOP Module |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7370 pF @ 300 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 196 nC @ 12 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 12V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
基本製品番号 | IPDQ60R |
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