IPDD60R105CFD7XTMA1
工場モデル | IPDD60R105CFD7XTMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10 |
パッケージ | PG-HDSOP-10-1 |
株式 | 30854 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.364 | $2.121 | $1.738 | $1.479 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 390µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HDSOP-10-1 |
シリーズ | CoolMOS™ CFD7 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 105mOhm @ 7.8A, 10V |
電力消費(最大) | 198W (Tc) |
パッケージ/ケース | 10-PowerSOP Module |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1504 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Tc) |
基本製品番号 | IPDD60 |
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