Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPD85P04P407ATMA2
IPD85P04P407ATMA2 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IPD85P04P407ATMA2

工場モデル IPD85P04P407ATMA2
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3-313
株式 95049 pcs
データシート Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.877 $0.787 $0.632 $0.519 $0.43
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。95049のInfineon Technologies IPD85P04P407ATMA2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 150µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-313
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 7.3mOhm @ 85A, 10V
電力消費(最大) 88W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6085 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 89 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 85A (Tc)
基本製品番号 IPD85P04

おすすめ商品

IPD85P04P407ATMA2 データテーブルPDF

データシート