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IPD80P03P4L07ATMA1 Image
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IPD80P03P4L07ATMA1

工場モデル IPD80P03P4L07ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3-11
株式 110747 pcs
データシート Part Number GuideCover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev DS Update 17/Apr/2020Mult Dev Design Chg 9/Oct/2019Mult Dev Assem/DS Rev 4/Oct/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.744 $0.67 $0.538 $0.442 $0.366
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。110747のInfineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 130µA
Vgs（最大） +5V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6.8mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 88W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5700 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 IPD80P03

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データシート

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