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IPB180N03S4L01ATMA1 Image
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IPB180N03S4L01ATMA1

工場モデル IPB180N03S4L01ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
パッケージ PG-TO263-7-3
株式 39196 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Test Add 27/Apr/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$1.816 $1.629 $1.335 $1.137
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。39196のInfineon Technologies IPB180N03S4L01ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 140µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.05mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 188W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 17600 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 239 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 180A (Tc)
基本製品番号 IPB180

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データシート

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