IPB160N08S4-03ATMA1
工場モデル | IPB160N08S4-03ATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | PG-TO263-7-3 |
株式 | 6046 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 150µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 208W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7750 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 112 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160A (Tc) |
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