IMYH200R100M1HXKSA1
| 工場モデル | IMYH200R100M1HXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SIC DISCRETE |
| パッケージ | PG-TO247-4-U04 |
| 株式 | 4355 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $11.573 | $10.674 | $9.115 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4355のInfineon Technologies IMYH200R100M1HXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 6mA |
| Vgs（最大） | +20V, -7V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4-U04 |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 131mOhm @ 10A, 18V |
| 電力消費（最大） | 217W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 2000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| 基本製品番号 | IMYH200 |
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