DF23MR12W1M1B11BPSA1
工場モデル | DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET MOD 1200V 25A |
パッケージ | AG-EASY1BM-2 |
株式 | 1076 pcs |
データシート | Mult Dev A/T Chgs 25/Aug/2021Mult Dev EOL 24/May/2022Mult Dev EOL Rev 17/Jun/2022Mult Dev LDD Rev 23/Dec/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$31.286 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 5.55V @ 10mA |
技術 | Silicon Carbide (SiC) |
サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY1BM-2 |
シリーズ | CoolSiC™+ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
電力 - 最大 | 20mW |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Tray |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1840pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 62nC @ 15V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tj) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DF23MR12 |
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