DF23MR12W1M1B11BOMA1
| 工場モデル | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| パッケージ | AG-EASY1BM-2 |
| 株式 | 3930 pcs |
| データシート | Mult Dev Datasheet Rev 28/Aug/2018DF23MR12W1M1_B11Mult Dev EOL 23/Jan/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 10mA |
| 技術 | Silicon Carbide (SiC) |
| サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY1BM-2 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 25A, 15V |
| 電力 - 最大 | 20mW |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Tray |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 620nC @ 15V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DF23MR12 |
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