DF200R12W1H3B27BOMA1
工場モデル | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IGBT MOD 1200V 30A 375W |
パッケージ | Module |
株式 | 1810 pcs |
データシート | Mult Dev Source Add 2/Oct/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
24 |
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$25.547 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1810のInfineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 1200 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 1.3V @ 15V, 30A |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 375 W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Tray |
運転温度 | -40°C ~ 150°C |
NTCサーミスタ | Yes |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(量Cies)@ Vceは | 2 nF @ 25 V |
入力 | Standard |
IGBTタイプ | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1 mA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 30 A |
コンフィギュレーション | 2 Independent |
基本製品番号 | DF200R12 |
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