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Infineon Technologies

DF200R12KE3HOSA1

工場モデル DF200R12KE3HOSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 IGBT MODULE 1200V 1040W
パッケージ Module
株式 749 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 30 80
$49.479 $47.139 $46.136 $43.796
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。749のInfineon Technologies DF200R12KE3HOSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 1200 V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 2.15V @ 15V, 200A
サプライヤデバイスパッケージ Module
シリーズ -
電力 - 最大 1040 W
パッケージ/ケース Module
パッケージ Tray
運転温度 -40°C ~ 125°C
製品属性 属性値
NTCサーミスタ No
装着タイプ Chassis Mount
入力容量（量Cies）@ Vceは 14 nF @ 25 V
入力 Standard
IGBTタイプ -
電流 - コレクタ遮断（最大） 5 mA
コンフィギュレーション Single
基本製品番号 DF200R12

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