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BSR316PL6327HTSA1 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

BSR316PL6327HTSA1

工場モデル BSR316PL6327HTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
パッケージ PG-SC59-3
株式 4927 pcs
データシート Part Number GuideDevice Migration 01/Jul/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4927のInfineon Technologies BSR316PL6327HTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 170µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SC59-3
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.8Ohm @ 360mA, 10V
電力消費（最大） 500mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 165 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 7 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 360mA (Ta)

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