BSR316PH6327XTSA1
工場モデル | BSR316PH6327XTSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 |
パッケージ | PG-SC59-3 |
株式 | 488771 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Packing Box Chg 18/Oct/2019Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.215 | $0.185 | $0.138 | $0.108 | $0.084 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 170µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SC59-3 |
シリーズ | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.8Ohm @ 360mA, 10V |
電力消費(最大) | 500mW (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 165 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 360mA (Ta) |
基本製品番号 | BSR316 |
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