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BSP300H6327XUSA1 Image
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BSP300H6327XUSA1

工場モデル BSP300H6327XUSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
パッケージ PG-SOT223-4
株式 6002 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Update 28/May/2020Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020Mult Dev EOL 20/Sep/2019Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6002のInfineon Technologies BSP300H6327XUSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 20Ohm @ 190mA, 10V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 230 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 190mA (Ta)

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