Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSP297L6327
Infineon Technologies

BSP297L6327

工場モデル BSP297L6327
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
パッケージ PG-SOT223-4-21
株式 6311 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6311のInfineon Technologies BSP297L6327の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.8V @ 400µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4-21
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.8Ohm @ 660mA, 10V
電力消費(最大) 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 357 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 660mA (Ta)

おすすめ商品

BSP297L6327 データテーブルPDF