BSC029N025SG
工場モデル | BSC029N025SG |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | PG-TDSON-8-1 |
株式 | 148645 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
371 |
---|
$0.319 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 80µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5090 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 41 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Ta), 100A (Tc) |
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