Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC027N10NS5ATMA1

工場モデル BSC027N10NS5ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
パッケージ PG-TSON-8-3
株式 40656 pcs
データシート Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021BSC027N10NS5~
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.093 $1.882 $1.542 $1.312 $1.107 $1.052
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。40656のInfineon Technologies BSC027N10NS5ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.8V @ 146µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSON-8-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.7mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 3W (Ta), 214W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8200 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 111 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 23A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 BSC027

おすすめ商品

BSC027N10NS5ATMA1 データテーブルPDF

データシート

BSC027N10NS5ATMA1に関連した語彙

BSC027N10NS5ATMA1関連コンポーネント