AUIRF7379QTR
| 工場モデル | AUIRF7379QTR |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 4759 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev A/T Chgs 5/Mar/2021Mult Dev EOL 30/Sep/2022Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2.5W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 520pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A, 4.3A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | AUIRF7379 |
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