AUIRF7341QTR
工場モデル | AUIRF7341QTR |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 5675 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 30/Sep/2022Mult Dev Sub Add 14/Oct/2022Gen5N Wafer/Test Chgs 16/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
電力 - 最大 | 2.4W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 780pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 44nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.1A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | AUIRF7341 |
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