AIMW120R080M1XKSA1
| 工場モデル | AIMW120R080M1XKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3 |
| パッケージ | PG-TO247-3-41 |
| 株式 | 7569 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.118 | $6.542 | $5.525 | $4.915 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.7V @ 5.6mA |
| Vgs（最大） | +20V, -7V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 13A, 15V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1060 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
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