AIMW120R045M1XKSA1
| 工場モデル | AIMW120R045M1XKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3 |
| パッケージ | PG-TO247-3 |
| 株式 | 5033 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $9.778 | $9.017 | $7.7 | $6.991 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.7V @ 10mA |
| Vgs（最大） | +20V, -7V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 20A, 15V |
| 電力消費（最大） | 228W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2130 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57 nC @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 52A (Tc) |
| 基本製品番号 | AIMW120 |
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