NVTFWS9D6P04M8LTAG
工場モデル | NVTFWS9D6P04M8LTAG |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN |
パッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
株式 | 138571 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021NVTFS9D6P04M8L |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.527 | $0.473 | $0.369 | $0.305 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 580µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 3.2W (Ta), 75W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2312 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34.6 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta), 64A (Tc) |
基本製品番号 | NVTFWS9 |
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