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onsemi

NVTFS9D6P04M8L

工場モデル NVTFS9D6P04M8L
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
パッケージ 8-WDFN (3.3x3.3)
株式 6213 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSNVTFS9D6P04M8L
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6213のonsemi NVTFS9D6P04M8Lの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 580µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-WDFN (3.3x3.3)
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.5mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 3.2W (Ta), 75W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2312 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 34.6 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 13A (Ta), 64A (Tc)
基本製品番号 NVTFS9

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データシート

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