NVMYS2D4N04CTWG
工場モデル | NVMYS2D4N04CTWG |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4 |
パッケージ | LFPAK4 (5x6) |
株式 | 119849 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNVMYS2D4N04C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.714 | $0.64 | $0.515 | $0.423 | $0.35 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 90µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK4 (5x6) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 3.9W (Ta), 83W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-1023, 4-LFPAK |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2100 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Ta), 138A (Tc) |
基本製品番号 | NVMYS2 |
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