NVMTS1D6N10MCTXG
工場モデル | NVMTS1D6N10MCTXG |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD |
パッケージ | 8-DFNW (8.3x8.4) |
株式 | 25107 pcs |
データシート | NVMTS1D6N10MC |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$2.539 | $2.28 | $1.868 | $1.59 | $1.341 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 650µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFNW (8.3x8.4) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.7mOhm @ 90A, 10V |
電力消費(最大) | 5W (Ta), 291W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7630 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 106 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 36A (Ta), 273A (Tc) |
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