NVC6S5A354PLZT1G
工場モデル | NVC6S5A354PLZT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH |
パッケージ | 6-CPH |
株式 | 6372 pcs |
データシート | NVC6S5A354PLZMult Dev EOL 7/Apr/2021onsemi REACHonsemi RoHSNVC6S5A354PLZT1G 02/Apr/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-CPH |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100mOhm @ 2A, 10V |
電力消費(最大) | 1.9W (Ta) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) |
基本製品番号 | NVC6S5 |
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