NVC3S5A51PLZT1G
| 工場モデル | NVC3S5A51PLZT1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH |
| パッケージ | 3-CPH |
| 株式 | 4983 pcs |
| データシート | NVC3S5A51PLZMult Dev EOL 7/Apr/2021onsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-CPH |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 262 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) |
| 基本製品番号 | NVC3S5 |
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