NTZS3151PT1G
工場モデル | NTZS3151PT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 1075655 pcs |
データシート | Mult Dev 24/Apr/2020Carrier Tape 15/Aug/2017Mult Devices 27/Oct/2017onsemi RoHSNTZS3151P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.153 | $0.124 | $0.084 | $0.063 | $0.047 | $0.043 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 170mW (Ta) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 458 pF @ 16 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 860mA (Ta) |
基本製品番号 | NTZS3151 |
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