NTZD5110NT1G
工場モデル | NTZD5110NT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563 |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 1039748 pcs |
データシート | Mult Dev 24/Apr/2020Carrier Tape 15/Aug/2017Mult Devices 27/Oct/2017onsemi RoHSNTZD5110N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.156 | $0.118 | $0.074 | $0.05 | $0.039 | $0.035 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
電力 - 最大 | 250mW |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 24.5pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 294mA |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | NTZD5110 |
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